ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。

ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進(jìn)行實時和非實時檢測。

特點：

• 原子層量的檢測靈敏度

  采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量的納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。

• 秒的快速測量

  快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。

• 一鍵式儀器操作

  對于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點擊一個按鈕即可完成復(fù)雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。

應(yīng)用：

ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。

ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場合。比如：

• ES01V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導(dǎo)體、聚合物等的實時和非實時檢測。
• ES01U適合于很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。

ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：

• 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
• 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學(xué)工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。

ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo)：

注：(1)測量重復(fù)性：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標(biāo)準(zhǔn)差。

可選配件：

• NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片

• NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
• VP01真空吸附泵
• VP02真空吸附泵
• 樣品池